在推出SB600之前，AMD在南桥方面的缺陷是大家都了解的，由于这些缺陷使得AMD不得不使用ULi提供的第三方南桥方案，而NVIDIA一举收购ULi之后，缺南桥的局面更是凸显了出来，而直到SB600的推出才真正解决了SB450/SB460的诸如USB性能低下等一个让用户感到头疼的问题。

    而随着存储技术获得新应用以及对系统安全性要求的提高，SB600势必会被更新的产品替代，于是SB700延续了SB600的众多优点后，来到我们面前，对比SB600和SB700的规格，可以看到不小的改进。

    首先在支持扩展接口的数量上进一步增多，原本10个USB 2.0接口，现在已经达到了12个USB 2.0和2个USB 1.1 接口，而原来的4个SATA II接口，现在追加成为6 个，可以同时支持RAID 0、RAID 1、RAID 0+1、RAID 10、JBOD，并支持eSATA。

    再有就是对可信赖平台模块(TPM)的支持，“Trusted Platform Module（TPM）”为可信任安全平台模块，通过集成在主板上的“TPM”模块，用户的个人电脑能够受到非常安全的保护。TPM方案基于物理层，结合了通用认证型身份管理策略，它的问世意味着复杂难记且易被破解的用户密码型方法即将推出历史舞台，TPM在笔记本和一些品牌台式整机中非常常见，而我们知道SB700同样也是被设计用于笔记本平台使用的南桥，所以这个设计就非常收到笔记本用户所喜欢。

    不过最大的改进则是可以支持HyperFlash技术，我们知道微软新一代操作系统Vista新增了ReadyBoost及ReadyDrive技术，通过额外的存储颗粒来提高操作系统及应用程序的启动效率，Intel很早以前就在发布的新一代迅驰平台Santa Rosa中，加入了全新的Turbo Memory技术，AMD在这一代加入全新HyperFlash技术也就顺理成章了，此技术将会采用Samsung的OneNAND Flash模块，体积减小并有效降低成本。

    新一代Windows Vista操作系统的ReadyBoost及ReadyDrive功能，能缩短操作系统及应用程序的启动时间，为硬盘提供更大的缓存容量，提升读写时间，并减少硬盘启动及转动次数，降低硬盘的耗电，进一步提升电池续航力（看来SB700天生就是为笔记本平台设计的），而Intel Turbo Memory技术支持以上两项功能，让运作Vista时性能表现更好。

    AMD在SB700南桥中加入的全新HyperFlash技术，将会把闪存控制器线路与IDE总线整合，支持三星OneNAND芯片，最高支持4颗，芯片频率为80MHz，16Bit接口最高传输速度为108MB/s，并声称相比Intel Turbo Memory快30%。

『图左下为HyperFlash模块设计，图右上为HyperFlash模块卡工程样本』

    目前HyperFlash所采用的模块是由Molex设计，PC厂商可自行生产HyperFlash卡，可支持512MB、1GB及2GB容量，相比Intel Turbo Memory必须由Intel自行生产，HyperFlash的吸引力自然较高，如果HyperFlash营销策略成功，将有望迫使Intel把Turbo Memory生产下放给PC厂商。

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